Toshiba ສ້າງໜ່ວຍຄວາມຈໍາແບບ QLC ໄດ້ສໍາເລັດ ບັນຈຸໄດ້ເຖິງ 1,5 TB
Toshiba Memory Corporation ໄດ້ປະກາດວ່າສາມາດພັດທະນາໜ່ວຍຄວາມຈໍາແບບ BiCS FLASH 3D flash memory ໄດ້ສໍາເລັດເປັນຄັ້ງທໍາອິດໃນໂລກ ໂດຍໜ່ວຍຄວາມຈໍາແບບໃຫມ່ນີ້ສາມາດເຮັດວຽກໄດ້ເຖິງ 4 ບິດຕໍ່ Cell (Quadruple-level cell, QLC) ເຊິ່ງເປັນເຕັກໂນໂລຊີໃຫມ່ທີ່ສາມາດທົດແທນໜ່ວຍຄວາມຈໍາແບບ TLC ຫຼື MLC ທີ່ໃຊ້ໃນປັດຈຸບັນ.
Flash memory (ໜ່ວຍຄວາມຈໍາແບບແຟລ) ທີ່ເຮົາໃຊ້ໃນທຸກວັນນີ້ ຫຼັກການເຮັດວຽກຂອງມັນຄືມີທຣານຊິສເຕີຣທີ່ເກັບຂໍ້ມູນ 0 ກັບ 1 ໜຶ່ງບິດ ເຊິ່ງໃນໜ່ວຍຄວາມຈໍາຈະມີໜ່ວຍຄວາມຈໍານີ້ລຽງຕໍ່ກັນເປັນຈໍານວນຫຼາຍ (ເອີ້ນວ່າ NAND) ເຊິ່ງຕໍ່ມາເພື່ອໃຫ້ສ້າງໜ່ວຍຄວາມຈໍາທີ່ໃຫຍ່ຂຶ້ນໄດ້ ຈຶ່ງມີການລຽງຊ້ອນກັນເປັນ Stack ເອີ້ນການອອກແບບນີ້ວ່າ 3D NAND.
MLC (Multi-level Cells) ທີ່ໃຊ້ໃນປັດຈຸບັນຈະມີ 4 ຊັ້ນຕໍ່ 1 Cell ເກັບຂໍ້ມູນໄດ້ 2 ບິດ ຫຼື TLC (Triple-level Cells) ຈະມີ 8 ຊັ້ນຕໍ່ 1 Cell ເກັບຂໍ້ມູນໄດ້ 3 ບິດ ແຕ່ QLC ຂອງ Toshiba ເປັນເຕັກໂນໂລຊີທີ່ກ້າວກະໂດດຫຼາຍ ເພາະມີເຖິງ 16 ຊັ້ນຕໍ່ 1 Cell ເພື່ອເກັບຂໍ້ມູນຂະໜາດ 4 ບິດ ເຊິ່ງ Toshiba ເຮັດໄດ້ເຖິງ 64 Stack ຜົນກໍຄື Flash memory ລຸ້ນໃຫມ່ຂອງ Toshiba ຈະບັນຈຸໄດ້ເຖິງ 1,5TB
ຄາດວ່າເມື່ອ QLC ເຂົ້າສູ່ຕະຫຼາດຈະສົ່ງຜົນໃຫ້ລາຄາຂອງໜ່ວຍຄວາມຈໍາແບບ MLC ແລະTLC ລາຄາຕໍ່ຄວາມຈຸຈະປັບໂຕຫຼຸດລົງຢ່າງແນ່ນອນ ໃນຕອນນີ້ທາງ Toshiba ໄດ້ສົ່ງຕົວຢ່າງໜ່ວຍຄວາມຈໍາ 3D QLC NAND ໃຫ້ກັບຕົວແທນຈໍາໜ່າຍແລ້ວ, ແຕ່ຍັງບໍ່ມີກໍານົດການທີ່ຈະແຈ້ງວ່າໜ່ວຍຄວາມຈໍາລຸ້ນໃຫມ່ນີ້້ຈະວາງຈໍາໜ່າຍຢ່າງເປັນທາງການໃຫ້ຜູ້ບໍລິໂພກມື້ໃດ.
